Применение полупроводниковых индикаторов



         

Применение полупроводниковых индикаторов


Н.Н.Васерин, Н.К.Дадерко, Г.А.Прокофьев

 

ПРИМЕНЕНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ИНДИКАТОРОВ

ПРЕДИСЛОВИЕ РЕДАКТОРА

Значительные успехи, достигнутые в области вычислительной техники и разрабатываемых на ее основе цифровых аппаратур­ных комплексов, стимулировали широкий фронт работ по созда­нию электронных индикаторных устройств и систем.

В настоящее время в аппаратурном обеспечении цифровых комплексов в качестве элементов индикации широко используются ЭЛТ, жидкокристаллические панели, газоразрядные, полупровод­никовые (светодиодные), электролюминесцентные и электрохром-ные индикаторы.

Каждый из указанных типов индикаторов, основанных на ис­пользовании различных физических принципов, предъявляет оп­ределенные требования к амплитудам управляющих напряжений, виду тока, плотности размещения на лицевых панелях приборов, внешней освещенности. Выбор типа индикаторов диктуется часто не только оптимальным сочетанием указанных технических ха­рактеристик, но и стоимостью, сроками разработки, состоянием серийного освоения.

Высокие технические характеристики полупроводниковых ин­дикаторов (ППИ) обеспечили их успешное внедрение в качест­ве элементов индикации в аппаратуре, используемой в различных областях народного хозяйства: в приборах управления стацио­нарным производственно-технологическим оборудованием, дви­жущимися объектами, объектами бытового назначения и др.

Одним из достоинств полупроводниковой технологии индика­торов является возможность их конструктивного исполнения в виде унифицированных модулей, обеспечивающих возможность бесшовной стыковки. Кроме того, модульность исполнения ин­дикаторов гарантирует высокую ремонтопригодность устройств отображения информации.

Другим не менее важным достоинством ППИ является сов­местимость уровней их управляющих напряжений и потребля­емых токов с напряжениями логических уровней и токами микросхемной техники. Это позволяет значительно сократить объемы схем управления элементами индикации и повысить надежность индикаторных устройств и систем за счет использования элемент­ной базы, выполненной только по полупроводниковой технологии.


Содержание    Вперед